第三代半导体材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)等为代表的宽禁带半导体材料，其具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力、更大的电子饱和漂移速率等特性。作为半导体领域的新秀，第三代半导体被寄予厚望，甚至被写入“十四五”规划中。但是第三代半导体的发展仍有很多技术问题亟待解决。一方面，第三代半导体器件SiC 或GaN的技术大大扩展了器件参数分布的区间，覆盖了以往没有出现过的高压高速区域，对器件的测试工具提出非常严苛的挑战；另一方面，第三代半导体材料外延等方面，如何降低衬底缺陷，提高良率，做到大尺寸、低成本等问题也需要尽快解决。

基于此，此会拟于2021年12月28日举办“第三代半导体材料、器件及检测技术发展和应用”主题网络研讨会，依托“网络讲堂”栏目，邀请业内专家以及厂商技术人员参与本次网络研讨会，就第三代半导体检测技术与应用等话题共同探讨，为广大第三代半导体从业者、检测人员和专家学者提供一个交流的空间。